用于消除應(yīng)力的快速熱退火需要紅外高溫監(jiān)測
熱退火是一種重要的半導(dǎo)體制造方法，它涉及將晶圓加熱到高溫以改變其電氣性能并減輕硅中的應(yīng)力?？焖贌崽幚硎窃摲椒ǖ年P(guān)鍵部分，有助于實(shí)現(xiàn)摻雜劑激活和晶體修復(fù)而不會(huì)產(chǎn)生顯著擴(kuò)散，從而提高工藝效率。
傳統(tǒng)上，熱退火工藝通常在惰性環(huán)境中使用傳統(tǒng)的電阻加熱管爐進(jìn)行。退火工藝的正常溫度范圍在 900°C 至 1100°C 之間。對(duì)于多晶硅退火，下限擴(kuò)展到約 700°C。用于摻雜劑激活和晶體損傷修復(fù)的爐退火工藝可能需要在 900°C 下進(jìn)行 30 分鐘。
快速熱退火 (RTA)，也稱為快速熱處理，代表了一項(xiàng)重大進(jìn)步。它將硅晶片加熱到超過 1000°C 的溫度幾秒鐘，然后緩慢冷卻以防止熱沖擊和晶片破損。這些信息可讓您隨時(shí)了解您所在領(lǐng)域的*新情況。
各種設(shè)施采用不同的熱處理方法，例如石英管燈、感應(yīng)加熱和電阻涂層。

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